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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 66
    周辺 11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 11.4
    テスト平均値
Corsair CMR16GX4M2C 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 2,123.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 11.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 1604

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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Kingston 9905678-105.A00G 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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