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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
59
周辺 -59% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.5
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
37
読み出し速度、GB/s
4,833.8
9.5
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
7.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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