RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 95
    周辺 38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.4
    テスト平均値
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB 考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.4 left arrow 2,123.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 95
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 6.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 1450

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
メモリRAM