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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
59
周辺 -55% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.1
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
38
読み出し速度、GB/s
4,833.8
9.0
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
7.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
1546
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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