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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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考慮すべき理由
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
59
周辺 -69% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.1
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
35
読み出し速度、GB/s
4,833.8
9.1
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
8.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
2229
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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