RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 13.3
    テスト平均値
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 59
    周辺 -64% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 3136

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
メモリRAM