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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
59
61
周辺 3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.6
テスト平均値
考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
61
読み出し速度、GB/s
4,833.8
17.6
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
8.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
2113
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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