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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
69
周辺 -86% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
1,857.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
37
読み出し速度、GB/s
4,217.2
14.8
書き込み速度、GB/秒
1,857.7
11.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
668
2751
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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