RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.9
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 69
    周辺 -64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 3126

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
メモリRAM