RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
69
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
42
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3126
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link