RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2545
2734
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link