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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2545
2734
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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