RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.4
    テスト平均値
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 69
    周辺 -188% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 3158

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
メモリRAM