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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.5
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 69
    周辺 -130% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2208

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
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メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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