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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
15.5
写入速度,GB/s
1,857.7
7.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2208
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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