RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    69 left arrow 74
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.9
    テスト平均値
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 74
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 1925

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
メモリRAM