RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 62
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 5.9
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    9.6 left arrow 7.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 5.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2082 left arrow 1612

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAMの比較

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
メモリRAM