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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 62
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 5.9
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    9.6 left arrow 7.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 5.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2082 left arrow 1612

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