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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
62
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
50
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2082
1612
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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