Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    50 left arrow 62
    Rund um 19% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 62
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2082 left arrow 1612
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