RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
40
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3035
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link