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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3035
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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