Confronto tra le RAM Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

50 62

Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

9.6 7.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.4 5.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2082 1612

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns