RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
62
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
50
62
Velocidad de lectura, GB/s
9.6
7.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2082
1612
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link