Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Puntuación global
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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    50 left arrow 62
    En 19% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 5.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 62
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 5.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2082 left arrow 1612
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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