RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.2
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 69
    周辺 -103% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2907

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較