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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
4,217.2
16.2
写入速度,GB/s
1,857.7
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2907
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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