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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.8
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
24
读取速度,GB/s
10.6
12.9
写入速度,GB/s
6.8
6.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1633
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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