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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
総合得点
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
58
周辺 -87% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
1,950.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
58
31
読み出し速度、GB/s
4,241.0
19.9
書き込み速度、GB/秒
1,950.7
14.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
651
3357
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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