RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
比較する
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.4
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
58
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
1,950.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
58
29
読み出し速度、GB/s
4,241.0
19.4
書き込み速度、GB/秒
1,950.7
15.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
651
3614
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAMの比較
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAMの比較
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link