RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.8
    テスト平均値
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB 考慮すべき理由
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 58
    周辺 -152% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 1,950.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,950.7 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    651 left arrow 2872

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAMの比較

Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
メモリRAM