RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
AMD R9S48G3206U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R9S48G3206U2S 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 46
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.6 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 20.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3518

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
メモリRAM