RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3518
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link