RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston 9965596-031.B00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2444
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link