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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
17.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
46
周辺 -70% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
16.0
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
27
読み出し速度、GB/s
2,909.8
17.6
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
16.0
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3478
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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