RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3478
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link