RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 13.6
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 -64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2625

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
メモリRAM