RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2625
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link