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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
46
周辺 -100% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.2
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.2
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
23
読み出し速度、GB/s
2,909.8
21.2
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
17.2
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
4043
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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