RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4043
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link