RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
比較する
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
18.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
46
周辺 -77% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
16.6
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
3200
周辺 6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
26
読み出し速度、GB/s
2,909.8
18.9
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
16.6
メモリ帯域幅、mbps
3200
19200
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
3866
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link