RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3866
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link