RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16
    テスト平均値
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 46
    周辺 -59% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3291

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
メモリRAM