RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3291
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link