RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905712-009.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 13.3
    テスト平均値
Kingston 9905712-009.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 46
    周辺 -15% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 13.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2527

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
メモリRAM