RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2527
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link