RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.3
    テスト平均値
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 46
    周辺 -100% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2979

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
メモリRAM