RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.9
    テスト平均値
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 46
    周辺 -100% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3034

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
メモリRAM