RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 11.2
    テスト平均値
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 60
    周辺 -107% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 2916

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
メモリRAM
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
メモリRAM