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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
60
周辺 -46% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
7.8
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.1
2,168.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
41
読み出し速度、GB/s
4,595.2
7.8
書き込み速度、GB/秒
2,168.2
6.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1512
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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