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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
比較する
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
総合得点
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,168.2
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
60
周辺 -216% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
19
読み出し速度、GB/s
4,595.2
19.3
書き込み速度、GB/秒
2,168.2
13.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
941
3169
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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