RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
60
Wokół strony -216% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3169
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology ITC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link