RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    60 left arrow 72
    周辺 17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.3
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 1593

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kllisre 8GB
Kllisre 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
メモリRAM
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 994083 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
メモリRAM